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Description

Transistor Mosfet TK18A50D Canal N à effet de champ 500V 18A 0.22ohm SC-67
  • Type de canal : Canal N
  • Courant de drain Id : 18A
  • Type de boîtier de transistor : SC-67
  • Tension de test Rds(on) : 10V
  • Dissipation de puissance : 50W
  • Température d’utilisation Max. : 150°C
  • Tension Drain-Source Vds : 500V
  • Résistance Drain-Source à l’état-ON : 0.22ohm
  • Montage transistor : Traversant
  • Tension de seuil Vgs Max : 4V
  • Nbre de broches : 3Broche(s)

Alimentation Secteur Français

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